Mott Corporation dévoile le filtre sandwich GasShield HiFlow
Mott Corporation a présenté le filtre sandwich GasShield HiFlow, conçu pour répondre aux exigences rigoureuses de la fabrication de semi-conducteurs de nouvelle génération. À mesure que l’industrie progresse au-delà de la loi de Moore, des matériaux comme le molybdène (Mo) deviennent essentiels en raison de leurs propriétés supérieures à celles du tungstène traditionnel, telles qu’une résistivité plus faible et une résistance améliorée à l’électromigration.
L'intégration du molybdène nécessite un dépôt en couche atomique (ALD), qui nécessite des solutions de filtration spécialisées pour garantir la stabilité du processus. Le filtre sandwich GasShield HiFlow de Mott répond à ce besoin en offrant :
- Haute rétention de particules:Plus de 9 LRV à 1.5 nm selon SEMI F38-0720.
- Construction tout en métal:Élimine la perte et le dégazage.
- Résistance exceptionnelle à la corrosion:Disponible avec l'alliage C-22 pour les précurseurs halogénés.
- Stabilité à haute température: Jusqu'à 460°C.
- Efficacité de débit supérieure:Perte de pression de 25 à 35 % inférieure à celle des filtres à disques traditionnels.
- Pureté ultra élevée:Niveaux d'humidité inférieurs à 10 ppb et hydrocarbures inférieurs aux limites de détection.
- Conception compacte:Dimensions de 1.12″ x 1.12″ x 0.49″, facilitant l'intégration dans des configurations d'outils étroites et des environnements à haute température.
De plus, le filtre garantit des débits stables (variation ≤ 2 % d'une pièce à l'autre) et bénéficie d'une garantie de fiabilité de cinq ans dans des conditions d'utilisation standard. Son installation plug-and-play prend en charge les options de joint en C et de joint en W personnalisé.
Paul Hofemann, expert technique en semi-conducteurs chez Mott, a déclaré : «Le filtre sandwich GasShield HiFlow est un élément essentiel de la fabrication More-than-Moore, garantissant des rendements plus élevés, des processus plus propres et des performances plus fiables dans le dépôt de molybdène à base d'ALD.. »
